C'l artìcol chè 'l è scrit in Carpśàn Emiliàn


La nànutècnùlugìa (a s' pôl anca scurtèrla in "nànutèc") l' è al drûamèint e la manipulasiòun edla matéria in 'na schèla atòmica u anca muleculèr. In dla definisiòun ch' la gh' à dê l' americàna "National Nanotechnology Initiative", la nànutècnùlugìa l' è presiśamèint la manipulasiòun dla matéria ch' la gh' àpia 'na dimensiòun ed tàja da 1 a 100 nanòmeter. A s' pôl dòunca catèr cùma sinònim anca el paròli "tècnulugìa dla nànuschèla".

Crunulugìa

  • 1911 : un sièinsié al drôva per la prèma vōlta al prefìs « (it:) nano », naṅ, tulèndel da la lèngua grēca.
  • 1956 : al Cumitè dal miśurasiòun BIPM al tōś al prefìs « (it:) nano » per definìr la miśurasiòun frasiunèla dal mēter nanòmeter cùma la miliardêśma pèrt dal mēter.
  • 1959 : Richard Feynman al dīś in dal sô discûrs al Caltech che « There is Plenty of Room at the Bottom » (A gh' è dimòndi spàsi in dl' andèr a bās - in dal dimensiòun -, sutintēś: da studièr).
  • 1974 : Norio Tanigushi al drôva per la prèma vôlta la paròla "nànutècnùlugìa".
  • 1974 : invensiòun dal dìod muleculèr da pèrt ed A. Aviram et M. Ratner.
  • 1981 : invensiòun dal micruscòpi a efèt tùnel.
  • 1985 : descuvèrta dal fulerèin, "fullerene" in Inglēś.
  • 1986 : invensiòun dal micruscòpi a fòrsa atômica da soquànt sièinsié dl'IBM à Śurîg.
  • 1986 : a vìn publichè al lìber Engines of Creation: The Coming Era of Nanotechnology, ed Kim Eric Drexler.
  • 1987 : la pùnta dal micruscòpi a efèt tùnel la vîn druèda da soquànt sièinsiè dl'IBM per fèr cumutèr un unìc interutôr muleculèr.
  • 1991 : la descuvèrta dj nanotūb.
  • 1995 : al prìm cuntàt elétric int su 'na mulècula ùnica.
  • 1997 : al prìm amplificadôr réaliśè cun 'na sôla mulècula.
  • 1998 : la prìma uservasiòun edla rutasiòun d'na mulècula rotor d' 1 nm ed diàmeter.
  • 2001 : al prìm transìstor réaliśè cun un nanotūb.
  • 2003 : invintè al Millipede, protôtip ed l'archiviasiòun dagli infurmasiòun, realiśè da l' IBM, druènd dal perfurasiòun nanu-cìchi.
  • 2004 : i prìm microprucesôr incīś cun 'na finèsa da 0,09 µm, ciuè 90 nm, da l' Intel e l' AMD.
  • 2005 : Intel la custruis dj transistors ed 65 nm.
  • 2006 : Intel la fa dal prōvi per l' incisiòun in dj 45 nm ch' la duvrèv riusîr in dal 2007.
  • 2007 : a vîn inventè al prìm dispośitiv mecànic muleculèr: un pignòun d'lung a 'na cremagliéra.
  • 2011 : Intel al cumersialìśa j "Sandy Bridge" incîś aj 32 nm.
  • 2012 : Intel al cumersialìśa j "Ivy Bridge" incîś aj 22 nm.